全球有機硅及寬帶隙半導體技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)道康寧公司，日前推出全新碳化硅(SiC)晶體分級結(jié)構(gòu)，為碳化硅晶體創(chuàng)立了行業(yè)新標準。新分級結(jié)構(gòu)對相關(guān)致命性產(chǎn)品缺陷，如微管位錯(MPD)、螺紋螺位錯(TSD)、和基面位錯(BPD)等，具有更嚴格的容忍度。
這一開創(chuàng)性分級結(jié)構(gòu)旨在優(yōu)化使用道康寧高品質(zhì)Prime Grade系列100 mm 碳化硅晶片設(shè)計和制造的新一代電力電子器件的設(shè)計自由度、性能和成本。道康寧公司目前向市場提供Prime Standard、Prime Select和Prime Ultra的三種不同品質(zhì)的新型碳化硅襯底。
“作為先進碳化硅材料技術(shù)的全球領(lǐng)先企業(yè)，道康寧公司認識到，寬帶隙半導體技術(shù)在提供高品質(zhì)產(chǎn)品的同時，更應(yīng)著眼于賦予客戶卓越的整體價值，”道康寧公司首席技術(shù)官Gregg Zank表示。
“這種全新碳化硅晶體分級結(jié)構(gòu)是道康寧公司為行業(yè)帶來的又一項首創(chuàng)，完全契合我們的這種理念，它也是我們與全球電力電子器件領(lǐng)先制造商密切合作的成果，不同的選擇有助于幫助他們以最優(yōu)的成本，快速實現(xiàn)其不斷發(fā)展和創(chuàng)新的設(shè)計目標。”
道康寧公司新產(chǎn)品分級結(jié)構(gòu)中的各個Prime Grade系列晶圓產(chǎn)品為缺陷密度及其他關(guān)鍵性能設(shè)置了更嚴格的公差范圍，客戶可以根據(jù)特定器件的應(yīng)用要求，在硅片（詞條“硅片”由行業(yè)大百科提供）質(zhì)量和價格之間獲得最好的平衡。
雖然已有不少碳化硅襯底制造商承諾要降低微管密度，但道康寧公司是首家對包括TSD及BPD在內(nèi)的其它致命性缺陷公差作出明確定義的企業(yè)。這些缺陷會降低器件的成品率及生產(chǎn)效率，且會影響大面積、新一代電力電子器件制造的成本效益。
道康寧公司全部Prime Grade系列100 mm碳化硅晶片具有一貫優(yōu)良的機械特性，確保與現(xiàn)有的和正在開發(fā)的設(shè)備制造工藝相容。Prime Grade系列產(chǎn)品包括：
●Prime Standard碳化硅晶片：可確保MPD≤0.5 cm-2，對于簡單碳化硅電力電子器件的設(shè)計，如肖特基或結(jié)勢壘肖特基二極管，是一種可在性能和成本之間獲得平衡的極有吸引力的選擇方案，適用于較低到中等額定電流值。
●Prime Select碳化硅晶片：公差更嚴格(MPD≤0.5 cm-2)和(BPD ≤800 cm-2)，適用于要求更高的碳化硅設(shè)備，如直插式二極管或開關(guān)。
●Prime Ultra碳化硅晶片：可滿足對晶體質(zhì)量要求最高的高功率器件的設(shè)計。這一等級的碳化硅襯底MPD(≤0.1 cm-2)，BPD(≤500 cm-2)，TSD (≤300 cm-2)極低，晶片電阻率分布范緊密，適用于當今最先進的碳化硅電力電子器件的設(shè)計，包括金屬 - 氧化物 - 半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(JFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBTs)、以及雙極型晶體管(BJT)或直插式二極管交換設(shè)備。此外，這一等級基材（詞條“基材”由行業(yè)大百科提供）品質(zhì)優(yōu)異，在高電壓(3.3 kV及更高版本)和大額定電流設(shè)備中使用非常有優(yōu)勢。
“對不同等級晶片品質(zhì)的公差進行精確界定，加上道康寧公司極具競爭力的定價結(jié)構(gòu)，反映了公司對硅基半導體市場中不同競爭需求的深刻把握，”道康寧公司化合物半導體解決方案副總裁Tang Yong Ang表示，“道康寧公司在卓越的技術(shù)、應(yīng)用專業(yè)的知識和硅材料協(xié)同創(chuàng)新方面擁有深厚的積淀，同時又能將之應(yīng)用到新一代化合物半導體技術(shù)發(fā)展之上，很少有競爭對手能做到這點。憑借這種全新晶片分級結(jié)構(gòu)，我們希望為業(yè)界帶來具有高品質(zhì)的碳化硅襯底，幫助世界各地的客戶在快速增長的電力電子行業(yè)展開競爭并取得成功。
有關(guān)100 mm碳化硅晶片的Prime Standard、Prime Select和Prime Ultra等級標準，可從道康寧公司全球各個機構(gòu)獲取，供標準化生產(chǎn)的開發(fā)和打樣之用。
碳化硅晶片的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件,在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢。
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